N-Kanal 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41
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IPW65R110CFDFKSA2

DigiKey-Teilenr.
448-IPW65R110CFDFKSA2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPW65R110CFDFKSA2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPW65R110CFDFKSA2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 1,3mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
118 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3240 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
277,8W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3-41
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
110mOhm bei 12,7A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
16,96000 €6,96 €
303,97733 €119,32 €
1203,32042 €398,45 €
5102,83908 €1.447,93 €
1.0202,66349 €2.716,76 €
2.0102,51885 €5.062,89 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:8,28240 €