Name: STW33N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16353-5-ND
Price: 7.1995 USD
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STW33N60DM2
DigiKey-Teilenr.	497-16353-5-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STW33N60DM2
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 24 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STW33N60DM2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ DM2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	130mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1870 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	190W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	STW33

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	6,05000 $	6,05 $
30	3,43167 $	102,95 $
120	2,85608 $	342,73 $
510	2,43424 $	1.241,46 $
1.020	2,36200 $	2.409,24 $

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