Name: DMNH6008SCTQ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMNH6008SCTQDI-ND
Price: 2.6775 EUR
Availability: OutOfStock

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DMNH6008SCTQ
DigiKey-Teilenr.	DMNH6008SCTQDI-ND
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMNH6008SCTQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 130 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMNH6008SCTQ Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	130 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2596 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	210W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	DMNH6008

Stückpreis ohne MwSt.:	2,25000 €
Stückpreis mit MwSt.:	2,67750 €