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DMNH6008SCTQ | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | DMNH6008SCTQDI-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | DMNH6008SCTQ |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 130 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | DMNH6008SCTQ Modelle |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 21 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) 20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2596 pF @ 30 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 210W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Klasse Automobiltechnik |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V | Qualifizierung AEC-Q101 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Montagetyp Durchkontaktierung |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8mOhm bei 20A, 10V | Gehäuse / Hülle |
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT2610L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOT2610L-ND | 0,62601 € | Ähnlich |
| CSD18534KCS | Texas Instruments | 1.472 | 296-35012-ND | 1,79000 € | Ähnlich |
| FDP75N08A | onsemi | 0 | FDP75N08A-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| HUF75344P3 | onsemi | 527 | HUF75344P3FS-ND | 3,37000 € | Ähnlich |
| IPP80N06S2L11AKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP80N06S2L11AKSA1-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,44000 € | 2,44 € |
| 50 | 1,20320 € | 60,16 € |
| 100 | 1,08270 € | 108,27 € |
| 500 | 0,87136 € | 435,68 € |
| 1.000 | 0,80345 € | 803,45 € |
| 2.000 | 0,74635 € | 1.492,70 € |
| 5.000 | 0,68460 € | 3.423,00 € |
| 10.000 | 0,66930 € | 6.693,00 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,44000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,90360 € |














