IXTP90N055T2 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,58945 €
Datenblatt

Ähnlich


Rochester Electronics, LLC
Vorrätig: 12.137
Stückpreis : 2,41037 €
Datenblatt

Ähnlich


Texas Instruments
Vorrätig: 1.107
Stückpreis : 1,85000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 1,12640 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 1.298
Stückpreis : 2,19000 €
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 658
Stückpreis : 3,16000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 31
Stückpreis : 2,30000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 8.736
Stückpreis : 1,26000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 2.227
Stückpreis : 1,36000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,96436 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 777
Stückpreis : 1,67000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,73348 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 372
Stückpreis : 2,22000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

Ähnlich


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
Stückpreis : 1,41000 €
Datenblatt
TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP90N055T2

DigiKey-Teilenr.
IXTP90N055T2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP90N055T2
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 90 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8,4mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2770 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 auf Lager
Informationen zur Lieferzeit
Bestandsbenachrichtigung anfordern
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,98000 €2,98 €
501,70660 €85,33 €
1001,47950 €147,95 €
5001,10216 €551,08 €
1.0000,99633 €996,33 €
2.0000,95784 €1.915,68 €
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:2,98000 €
Stückpreis mit MwSt.:3,54620 €