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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
AOT2610L | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | AOT2610L-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | AOT2610L |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 9A/55A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 9 A (Ta), 55 A (Tc) 2,1W (Ta), 75W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 30 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2007 pF @ 30 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 2,1W (Ta), 75W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10,7mOhm bei 20A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Ersatzartikel (9)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| EKI07117 | Sanken Electric USA Inc. | 0 | EKI07117-ND | 0,45003 € | Ähnlich |
| FDP75N08A | onsemi | 0 | FDP75N08A-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| IPP091N06N G | Infineon Technologies | 0 | IPP091N06NG-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| IRFB3607PBF | Rochester Electronics, LLC | 544 | 2156-IRFB3607PBF-ND | 0,63741 € | Ähnlich |
| STP60NF06L | STMicroelectronics | 1.278 | 497-5895-5-ND | 2,32000 € | Ähnlich |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1.000 | 0,62601 € | 626,01 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 0,62601 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 0,74495 € |
