Vollsiliziumkarbid(SiC)-Halbbrücken-Leistungsmodule
Siliziumkarbid (SiC)-Leistungsmodule von ROHM enthalten SiC-MOSFETs and -SBDs in einem Industriestandard-Gehäuse
Die Voll-SiC-Halbbrücken-Leistungsmodule von ROHM Semiconductor integrieren SiC-MOSFETs und SBDs in einem Standard-Industriegehäuse. Eine originelle Begrenzungsstruktur für elektrische Felder, zusammen mit einem neuen Screening-Verfahren werden verwendet, um die Zuverlässigkeit zu erhalten und die Entwicklung der ersten Massenproduktionsanlage für Voll-SiC-Leistungsmodule zu ermöglichen.
- Geringe Streuinduktivitäten
- High-Speed-Wiederherstellungs-Eigenschaften
- Geringe Schaltverluste
- Im Vergleich zu IGBT ist keine Leistungsminderung erforderlich
- Erneuerbare Energien/Energiespeicherung
- EV-/HEV-Wechselrichter und Ladegeräte
- Induktionsheizung/Schweißen
- Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung (HGÜ)
Full-SiC Half-Bridge Power Modules
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | BSM120D12P2C005 | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 2 - Sofort | $317.64 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | BSM180D12P3C007 | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | 13 - Sofort | $486.49 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | BSM300D12P2E001 | MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE | 8 - Sofort | $613.62 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | BSM250D17P2E004 | MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE | 7 - Sofort | $849.88 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | BSM080D12P2C008 | MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE | 0 - Sofort | $275.30 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | BSM180D12P2C101 | MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE | 1 - Sofort | $385.90 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | BSM180C12P2E202 | SICFET N-CH 1200V 204A MODULE | 0 - Sofort | $528.31 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | BSM400C12P3G202 | SICFET N-CH 1200V 400A MODULE | 4 - Sofort | $825.15 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | BSM600C12P3G201 | SICFET N-CH 1200V 600A MODULE | 0 - Sofort | $1,036.44 | Details anzeigen |











