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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
BSM080D12P2C008 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | BSM080D12P2C008-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | BSM080D12P2C008 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 80 A (Tc) 600W Chassisbefestigung Modul |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | BSM080D12P2C008 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 13,2mA |
Hersteller Rohm Semiconductor | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 800pF bei 10V |
Verpackung Tablett | Leistung - Max. 600W |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
Technologie Siliziumkarbid (SiC) | Montagetyp Chassisbefestigung |
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach) | Gehäuse / Hülle Modul |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV) | Gehäusetyp vom Lieferanten Modul |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 80 A (Tc) | Basis-Produktnummer |
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Menge
Alle Preise in EUR
Tablett
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 282,95000 € | 282,95 € |
| 12 | 270,89250 € | 3.250,71 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 282,95000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 336,71050 € |
