MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 780W Modul
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MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 780W Modul
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM120D12P2C005

DigiKey-Teilenr.
BSM120D12P2C005-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
BSM120D12P2C005
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 780W Modul
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
BSM120D12P2C005 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
120 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) bei Id
2,7V bei 22mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
14000pF bei 10V
Leistung - Max.
780W
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Basis-Produktnummer
BSM120
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