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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
BSM120D12P2C005 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | BSM120D12P2C005-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | BSM120D12P2C005 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 780W Modul |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | BSM120D12P2C005 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 2,7V bei 22mA |
Hersteller Rohm Semiconductor | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 14000pF bei 10V |
Verpackung Lose im Beutel | Leistung - Max. 780W |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ) |
Technologie Siliziumkarbid (SiC) | Gehäuse / Hülle Modul |
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke) | Gehäusetyp vom Lieferanten Modul |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV) | Basis-Produktnummer |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc) |
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Menge
Alle Preise in EUR
Lose im Beutel
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 318,89000 € | 318,89 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 318,89000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 379,47910 € |
