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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
BSM180D12P2C101 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | BSM180D12P2C101-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | BSM180D12P2C101 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1130W Modul |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | BSM180D12P2C101 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 35,2mA |
Hersteller Rohm Semiconductor | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 23000pF bei 10V |
Verpackung Lose im Beutel | Leistung - Max. 1130W |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ) |
Technologie Siliziumkarbid (SiC) | Gehäuse / Hülle Modul |
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke) | Gehäusetyp vom Lieferanten Modul |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV) | Basis-Produktnummer |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 204 A (Tc) |
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Menge
Alle Preise in EUR
Lose im Beutel
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 382,54000 € | 382,54 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 382,54000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 455,22260 € |
