BSM120D12P2C005
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
BSM120D12P2C005
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P2C101

DigiKey-Teilenr.
BSM180D12P2C101-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
BSM180D12P2C101
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1130W Modul
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
BSM180D12P2C101 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
204 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 35,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
23000pF bei 10V
Leistung - Max.
1130W
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Basis-Produktnummer
BSM180
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