Name: SQD50N10-8M9L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N10-8M9L_GE3TR-ND
Price: 2.5585 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQD50N10-8M9L_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQD50N10-8M9L_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQD50N10-8M9L_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQD50N10-8M9L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQD50N10-8M9L_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 50 A (Tc) 136W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQD50N10-8M9L_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,9mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2950 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	SQD50