50 A (Tc) Einzelne FETs, MOSFETs

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FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
SIR401DP-T1-GE3
SI7149ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
14.295
Vorrätig
1 : 0,79000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,28539 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
5,2mOhm bei 15A, 10V
2,5V bei 250µA
135 nC @ 10 V
±25V
5125 pF @ 15 V
-
5W (Ta), 48W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PG-TO252-3-11
IPD50N06S4L12ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Infineon Technologies
10.548
Vorrätig
1 : 0,80000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,30589 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
12mOhm bei 50A, 10V
2,2V bei 20µA
40 nC @ 10 V
±16V
2890 pF @ 25 V
-
50W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
PG-TO252-3-11
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
SISS5808DN-T1-GE3
SISS27ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
23.473
Vorrätig
1 : 0,94000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,29480 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
5,1mOhm bei 15A, 10V
2,2V bei 250µA
55 nC @ 4.5 V
±20V
4660 pF @ 15 V
-
57W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
8 VSONP
CSD18537NQ5A
MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Texas Instruments
9.872
Vorrätig
1 : 1,00000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,33306 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
50 A (Tc)
6V, 10V
13mOhm bei 12A, 10V
3,5V bei 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 30 V
-
3,2W (Ta), 75W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSONP (5x6)
8-PowerTDFN
IPD079N06L3GATMA1
IPD079N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Infineon Technologies
1.835
Vorrätig
1 : 1,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,35673 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
7,9mOhm bei 50A, 10V
2,2V bei 34µA
29 nC @ 4.5 V
±20V
4900 pF @ 30 V
-
79W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO252-3-311
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252AA (DPAK)
IRLR3636TRPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Infineon Technologies
19.229
Vorrätig
1 : 1,31000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,57004 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
6,8mOhm bei 50A, 10V
2,5V bei 100µA
49 nC @ 4.5 V
±16V
3779 pF @ 50 V
-
143W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
SIR401DP-T1-GE3
SIR464DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
941
Vorrätig
1 : 1,33000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,47664 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
3,1mOhm bei 15A, 10V
2,5V bei 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3545 pF @ 15 V
-
5,2W (Ta), 69W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIHD5N80AE-GE3
SUD50P04-08-GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
34.051
Vorrätig
1 : 1,40000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,51006 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
8,1mOhm bei 22A, 10V
2,5V bei 250µA
159 nC @ 10 V
±20V
5380 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 73,5W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
BUK7626-100B,118
PSMN015-60BS,118
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Nexperia USA Inc.
9.835
Vorrätig
1 : 1,41000 €
Gurtabschnitt (CT)
800 : 0,49084 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
50 A (Tc)
10V
14,8mOhm bei 15A, 10V
4V bei 1mA
20.9 nC @ 10 V
±20V
1220 pF @ 30 V
-
86W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
TO-252
SQD40131EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
5.474
Vorrätig
1 : 1,41000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,46687 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
11,5mOhm bei 30A, 10V
2,5V bei 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
6600 pF @ 25 V
-
62W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TO252-3-313
IPD50P04P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Infineon Technologies
4.273
Vorrätig
1 : 1,50000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,41416 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
10,6mOhm bei 50A, 10V
2,2V bei 85µA
59 nC @ 10 V
+5V, -16V
3900 pF @ 25 V
-
58W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
PG-TO252-3-313
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TO252-3
IPD200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Infineon Technologies
35.578
Vorrätig
1 : 1,53000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,80334 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
150 V
50 A (Tc)
8V, 10V
20mOhm bei 50A, 10V
4V bei 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
150W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TO220-3-1
IPP200N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Infineon Technologies
4.137
Vorrätig
1 : 1,85000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
150 V
50 A (Tc)
8V, 10V
20mOhm bei 50A, 10V
4V bei 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
150W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO220-3
TO-220-3
SIHD5N80AE-GE3
SUD50P08-25L-E3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Vishay Siliconix
9.649
Vorrätig
1 : 2,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,92403 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
80 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
25,2mOhm bei 12,5A, 10V
3V bei 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
8,3W (Ta), 136W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC190N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Infineon Technologies
11.922
Vorrätig
1 : 2,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,80085 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
150 V
50 A (Tc)
8V, 10V
19mOhm bei 50A, 10V
4V bei 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
2420 pF @ 75 V
-
125W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-252
SQD50P08-25L_GE3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
4.312
Vorrätig
1 : 2,50000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,95705 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
80 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
25mOhm bei 10,5A, 10V
2,5V bei 250µA
137 nC @ 10 V
±20V
5350 pF @ 25 V
-
136W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
SQM120P04-04L_GE3
SQM50P08-25L_GE3
MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263
Vishay Siliconix
3.542
Vorrätig
1 : 2,67000 €
Gurtabschnitt (CT)
800 : 0,94738 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
80 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
25mOhm bei 12,5A, 10V
2,5V bei 250µA
137 nC @ 10 V
±20V
5350 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
SIHD5N80AE-GE3
SUD50P06-15-GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
818
Vorrätig
1 : 2,69000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,92403 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
15mOhm bei 17A, 10V
3V bei 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
2,5W (Ta), 113W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
SIHD5N80AE-GE3
SUD50P06-15L-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
11.640
Vorrätig
1 : 2,77000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,92403 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
15mOhm bei 17A, 10V
3V bei 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
3W (Ta), 136W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
SIHD5N80AE-GE3
SQD50P06-15L_GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
3.045
Vorrätig
1 : 2,90000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 1,12246 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
15,5mOhm bei 17A, 10V
2,5V bei 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
5910 pF @ 25 V
-
136W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-247-3 AC EP
IRFP260MPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Infineon Technologies
5.000
Vorrätig
1 : 2,95000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
50 A (Tc)
10V
40mOhm bei 28A, 10V
4V bei 250µA
234 nC @ 10 V
±20V
4057 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Infineon Technologies
2.916
Vorrätig
1 : 4,20000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
50 A (Tc)
10V
40mOhm bei 28A, 10V
4V bei 250µA
234 nC @ 10 V
±20V
4057 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
PG-TO263-3-2
IPB60R040CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Infineon Technologies
2.153
Vorrätig
1 : 7,11000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 3,07980 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
50 A (Tc)
10V
40mOhm bei 24,9A, 10V
4,5V bei 1,25mA
108 nC @ 10 V
±20V
4351 pF @ 400 V
-
227W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO263-3-2
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
1.130
Vorrätig
1 : 7,58000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 3,47792 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
650 V
50 A (Tc)
10V
41mOhm bei 24,8A, 10V
4,5V bei 1,24mA
102 nC @ 10 V
±20V
4975 pF @ 400 V
-
227W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
PG-TO247-3
IPW60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Infineon Technologies
2.710
Vorrätig
1 : 9,05000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
50 A (Tc)
10V
40mOhm bei 24,9A, 10V
4V bei 1,24mA
107 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO247-3
TO-247-3
Angezeigt werden
von 557

50 A (Tc) Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.