TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63 Einzelne FETs, MOSFETs

Angezeigt werden

von 4.761

Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
IPD031N03LGATMA1 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Infineon Technologies	2.499 Vorrätig	1 : 0,62000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,35855 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	90 A (Tc)	4,5V, 10V	3,1mOhm bei 30A, 10V	2,2V bei 250µA	51 nC @ 10 V	±20V	5300 pF @ 15 V	-	94W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PG-TO252-3-11	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
IPD50R2K0CEAUMA1 MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3 Infineon Technologies	22.027 Vorrätig	1 : 0,63000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,14655 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	CoolMOS™ CE	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	500 V	2,4 A (Tc)	13V	2Ohm bei 600mA, 13V	3,5V bei 50µA	6 nC @ 10 V	±20V	124 pF @ 100 V	-	33W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DMN6068LK3-13 MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3 Diodes Incorporated	7.481 Vorrätig	1 : 0,71000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,16838 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	6 A (Ta)	4,5V, 10V	68mOhm bei 12A, 10V	3V bei 250µA	10.3 nC @ 10 V	±20V	502 pF @ 30 V	-	2,12W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
AOD1N60 MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	14.988 Vorrätig	1 : 0,73000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,17811 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	1,3 A (Tc)	10V	9Ohm bei 650mA, 10V	4,5V bei 250µA	8 nC @ 10 V	±30V	160 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-50°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DMP4051LK3-13 MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3 Diodes Incorporated	8.470 Vorrätig	1 : 0,73000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,17397 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	7,2 A (Ta)	4,5V, 10V	51mOhm bei 12A, 10V	3V bei 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	674 pF @ 20 V	-	2,14W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
AOD4189 MOSFET P-CH 40V 40A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	37.357 Vorrätig	1 : 0,74000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,18262 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	40 A (Tc)	4,5V, 10V	22mOhm bei 12A, 10V	3V bei 250µA	41 nC @ 10 V	±20V	1870 pF @ 20 V	-	2,5W (Ta), 62,5W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
IPD60R1K5CEAUMA1 MOSFET N-CH 600V 5A TO252 Infineon Technologies	60.224 Vorrätig	1 : 0,76000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,18280 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	CoolMOS™ CE	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	5 A (Tc)	10V	1,5Ohm bei 1,1A, 10V	3,5V bei 90µA	9.4 nC @ 10 V	±20V	200 pF @ 100 V	-	49W (Tc)	-40°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
IRLR8726TRPBF MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Infineon Technologies	61.875 Vorrätig	1 : 0,77000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 0,18877 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	HEXFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	86 A (Tc)	4,5V, 10V	5,8mOhm bei 25A, 10V	2,35V bei 50µA	23 nC @ 4.5 V	±20V	2150 pF @ 15 V	-	75W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
AOD407 MOSFET P-CH 60V 12A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	65.406 Vorrätig	1 : 0,78000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,19158 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	12 A (Tc)	4,5V, 10V	115mOhm bei 12A, 10V	3V bei 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	1185 pF @ 30 V	-	2,5W (Ta), 50W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
MCU80N03A-TP MOSFET N-CH 30V 80A DPAK MCC (Micro Commercial Components)	9.970 Vorrätig	1 : 0,80000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,20047 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	80 A (Tc)	4,5V, 10V	5,5mOhm bei 20A, 10V	2,5V bei 250µA	52.8 nC @ 10 V	±20V	2150 pF @ 15 V	-	45W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
AOD66406 MOSFET N-CH 40V 25A/60A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	21.046 Vorrätig	1 : 0,81000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,20268 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	AlphaSGT™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	25A (Ta), 60A (Tc)	4,5V, 10V	6,1mOhm bei 20A, 10V	2,5V bei 250µA	30 nC @ 10 V	±20V	1480 pF @ 20 V	-	6,2W (Ta), 52W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
AOD413A MOSFET P-CH 40V 12A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	254.149 Vorrätig	1 : 0,83000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,20710 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	12 A (Tc)	4,5V, 10V	44mOhm bei 12A, 10V	3V bei 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	1125 pF @ 20 V	-	2,5W (Ta), 50W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DMN10H170SK3-13 MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 Diodes Incorporated	89.215 Vorrätig	1 : 0,83000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,20195 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	12 A (Tc)	4,5V, 10V	140mOhm bei 5A, 10V	3V bei 250µA	9.7 nC @ 10 V	±20V	1167 pF @ 25 V	-	42W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
AOD454A MOSFET N-CH 40V 20A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	46.718 Vorrätig	1 : 0,83000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,20710 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	20 A (Tc)	4,5V, 10V	30mOhm bei 12A, 10V	3V bei 250µA	10.8 nC @ 10 V	±20V	650 pF @ 20 V	-	2,5W (Ta), 37W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DMP6180SK3-13 MOSFET P-CH 60V 14A TO252 Diodes Incorporated	18.396 Vorrätig	1 : 0,84000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,20249 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	14 A (Tc)	4,5V, 10V	110mOhm bei 12A, 10V	2,7V bei 250µA	17.1 nC @ 10 V	±20V	984.7 pF @ 30 V	-	1,7W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
AOD444 MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	77.523 Vorrätig	1 : 0,85000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,21478 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	4 A (Ta), 12 A (Tc)	4,5V, 10V	60mOhm bei 12A, 10V	3V bei 250µA	10 nC @ 10 V	±20V	540 pF @ 30 V	-	2,1W (Ta), 20W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
IRLR024NTRPBF MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Infineon Technologies	31.170 Vorrätig	1 : 0,86000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 0,21609 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	HEXFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	17 A (Tc)	4V, 10V	65mOhm bei 10A, 10V	2V bei 250µA	15 nC @ 5 V	±16V	480 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
IPD090N03LGATMA1 MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 Infineon Technologies	66.493 Vorrätig	1 : 0,89000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,21744 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	40 A (Tc)	4,5V, 10V	9mOhm bei 30A, 10V	2,2V bei 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	1600 pF @ 15 V	-	42W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PG-TO252-3-11	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
AOD4184A MOSFET N-CH 40V 13A/50A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	56.786 Vorrätig	1 : 0,89000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,22460 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	13 A (Ta), 50 A (Tc)	4,5V, 10V	7mOhm bei 20A, 10V	2,6V bei 250µA	33 nC @ 10 V	±20V	1800 pF @ 20 V	-	2,3W (Ta), 50W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DMP6180SK3Q-13 MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252 Diodes Incorporated	16.265 Vorrätig	1 : 0,89000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,21649 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	14 A (Tc)	4,5V, 10V	110mOhm bei 12A, 10V	2,7V bei 250µA	17.1 nC @ 10 V	±20V	984.7 pF @ 30 V	-	1,7W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DMP10H400SK3-13 MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3 Diodes Incorporated	13.829 Vorrätig	1 : 0,89000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,21649 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	9 A (Tc)	4,5V, 10V	240mOhm bei 5A, 10V	3V bei 250µA	17.5 nC @ 10 V	±20V	1239 pF @ 25 V	-	42W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DMPH6050SK3-13 MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Diodes Incorporated	6.724 Vorrätig	1 : 0,89000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,21691 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	7,2 A (Ta), 23,6 A (Tc)	4,5V, 10V	50mOhm bei 7A, 10V	3V bei 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1377 pF @ 30 V	-	1,9W (Ta)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
AOD2N60 MOSFET N-CH 600V 2A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	22.499 Vorrätig	1 : 0,89000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,22568 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	2 A (Tc)	10V	4,4Ohm bei 1A, 10V	4,5V bei 250µA	11 nC @ 10 V	±30V	325 pF @ 25 V	-	56,8W (Tc)	-50°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
IRLR2705TRPBF MOSFET N-CH 55V 28A DPAK Infineon Technologies	23.951 Vorrätig	1 : 0,94000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 0,23762 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	HEXFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	28 A (Tc)	4V, 10V	40mOhm bei 17A, 10V	2V bei 250µA	25 nC @ 5 V	±16V	880 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
AOD442G MOSFET N-CH 60V 13A/40A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	40.386 Vorrätig	1 : 0,97000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,24832 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	13A (Ta), 40A (Tc)	4,5V, 10V	18mOhm bei 20A, 10V	2,7V bei 250µA	68 nC @ 10 V	±20V	1920 pF @ 30 V	-	6,2W (Ta), 60W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63

Angezeigt werden

von 4.761

FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

FETs, MOSFETs

INFORMATION

HILFE

KONTAKT

FOLGEN SIE UNS