IRFZ48PBF ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 898
Stückpreis : 3,26000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,38973 €
Datenblatt

Ähnlich


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 1,43000 €
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,91693 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,49768 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 1.259
Stückpreis : 1,49000 €
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 461
Stückpreis : 3,51000 €
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 570
Stückpreis : 3,28000 €
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 1.007
Stückpreis : 2,63000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 29.530
Stückpreis : 1,59000 €
Datenblatt
SIHP23N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFZ48PBF

DigiKey-Teilenr.
IRFZ48PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFZ48PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFZ48PBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
18mOhm bei 43A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2400 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,26000 €3,26 €
501,64820 €82,41 €
1001,49260 €149,26 €
5001,21994 €609,97 €
1.0001,13237 €1.132,37 €
2.0001,07855 €2.157,10 €
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:3,26000 €
Stückpreis mit MwSt.:3,87940 €