IRFB20N50KPBF ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 426
Stückpreis : 3,09000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 468
Stückpreis : 2,17000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 448
Stückpreis : 1,41000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 799
Stückpreis : 3,00000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 995
Stückpreis : 2,56000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : 4,61000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : 5,19000 €
Datenblatt
SIHP23N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFB20N50KPBF

DigiKey-Teilenr.
IRFB20N50KPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB20N50KPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 20 A (Tc) 280W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFB20N50KPBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
250mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2870 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
280W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.