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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRF640SPBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRF640SPBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRF640SPBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 18 A (Tc) 3,1W (Ta), 130W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRF640SPBF Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 180mOhm bei 11A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 70 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1300 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 3,1W (Ta), 130W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263 (D2PAK) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 2.387
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,26000 € | 3,26 € |
| 50 | 1,64820 € | 82,41 € |
| 100 | 1,49260 € | 149,26 € |
| 500 | 1,21994 € | 609,97 € |
| 1.000 | 1,13237 € | 1.132,37 € |
| 2.000 | 1,07855 € | 2.157,10 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,26000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 3,87940 € |
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