N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 76W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L(X)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 76W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L(X)
TO-247-4

TW107Z65C,S1F

DigiKey-Teilenr.
264-TW107Z65C,S1F-ND
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer
TW107Z65C,S1F
Beschreibung
G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 10
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 76W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L(X)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
152mOhm bei 10A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
21 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
600 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
76W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4L(X)
Gehäuse / Hülle
TO-247-4
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