TO-247-4 Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
MSC750SMA170B4 TRANS SJT 1700V TO247-4 Microchip Technology	790 Vorrätig	1 : 4,80000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1700 V	7 A (Tc)	20V	940mOhm bei 2,5A, 20V	3,25V bei 100µA (typisch)	11 nC @ 20 V	+23V, -10V	184 pF @ 1360 V	-	68W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4	TO-247-4
IMZA65R040M2HXKSA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	651 Vorrätig	1 : 7,72000 € Stange	CoolSiC™ Gen 2	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	650 V	46 A (Tc)	15V, 20V	36mOhm bei 22,9A, 20V	5,6V bei 4,6mA	28 nC @ 18 V	+23V, -7V	997 pF @ 400 V	-	172W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO247-4-8	TO-247-4
C3M0060065K SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L Wolfspeed, Inc.	532 Vorrätig	1 : 7,72000 € Stange	C3M™	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	650 V	37 A (Tc)	15V	79mOhm bei 13,2A, 15V	3,6V bei 5mA	46 nC @ 15 V	+15V, -4V	1020 pF @ 600 V	-	150W (Tc)	-40°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4L	TO-247-4
C3M0075120K SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L Wolfspeed, Inc.	845 Vorrätig	1 : 7,96000 € Stange	C3M™	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	30 A (Tc)	15V	90mOhm bei 20A, 15V	4V bei 5mA	51 nC @ 15 V	+19V, -8V	1350 pF @ 1000 V	-	113,6W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4L	TO-247-4
IMZ120R060M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4 Infineon Technologies	157 Vorrätig	1 : 8,32000 € Stange	CoolSiC™	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	36 A (Tc)	15V, 18V	78mOhm bei 13A, 18V	5,7V bei 5,6mA	31 nC @ 18 V	+23V, -7V	1060 pF @ 800 V	-	150W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO247-4-1	TO-247-4
IMZC120R034M2HXKSA1 SICFET N-CH 1200V 55A TO247 Infineon Technologies	357 Vorrätig	1 : 9,21000 € Stange	CoolSiC™ G2	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	55 A (Tc)	15V, 18V	34mOhm bei 20A, 18V	5,1V bei 6,4mA	45 nC @ 18 V	+23V, -7V	1510 pF @ 800 V	-	244W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO247-4-17	TO-247-4
UJ4C075023K4S 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T onsemi	531 Vorrätig 14.400 Fabrik	1 : 9,87000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Cascode SiCJFET)	750 V	66 A (Tc)	12V	29mOhm bei 40A, 12V	6V bei 10mA	37.8 nC @ 15 V	±20V	1400 pF @ 400 V	-	306W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4	TO-247-4
IMZA65R026M2HXKSA1 IMZA65R026M2HXKSA1 Infineon Technologies	270 Vorrätig	1 : 10,53000 € Stange	CoolSiC™	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	650 V	64 A (Tc)	15V, 20V	24mOhm bei 34,5A, 20V	5,6V bei 7mA	42 nC @ 18 V	+23V, -7V	1499 pF @ 400 V	-	227W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO247-4-8	TO-247-4
IMZA65R020M2HXKSA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	109 Vorrätig	1 : 12,18000 € Stange	CoolSiC™ Gen 2	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	650 V	83 A (Tc)	15V, 20V	18mOhm bei 46,9A, 20V	5,6V bei 9,5mA	57 nC @ 18 V	+23V, -7V	2038 pF @ 400 V	-	273W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO247-4-8	TO-247-4
IMZC120R022M2HXKSA1 SICFET N-CH 1200V 80A TO247 Infineon Technologies	1.085 Vorrätig	1 : 12,67000 € Stange	CoolSiC™ G2	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	80 A (Tc)	15V, 18V	22mOhm bei 32A, 18V	5,1V bei 10,1mA	71 nC @ 18 V	+23V, -7V	2330 pF @ 800 V	-	329W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO247-4-17	TO-247-4
NTH4L040N120M3S SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI onsemi	2.223 Vorrätig	1 : 12,96000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	54 A (Tc)	18V	54mOhm bei 20A, 18V	4,4V bei 10mA	75 nC @ 18 V	+22V, -10V	1700 pF @ 800 V	-	231W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4L	TO-247-4
IMYH200R100M1HXKSA1 SIC DISCRETE Infineon Technologies	458 Vorrätig	1 : 13,33000 € Stange	CoolSiC™	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	2000 V	26 A (Tc)	15V, 18V	131mOhm bei 10A, 18V	5,5V bei 6mA	55 nC @ 18 V	+20V, -7V	-	-	217W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO247-4-U04	TO-247-4
IMZA65R015M2HXKSA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	863 Vorrätig	1 : 14,24000 € Stange	CoolSiC™ Gen 2	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	650 V	103 A (Tc)	15V, 20V	13,2mOhm bei 64,2A, 20V	5,6V bei 13mA	79 nC @ 18 V	+23V, -7V	2792 pF @ 400 V	-	341W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO247-4-8	TO-247-4
C3M0015065K SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L Wolfspeed, Inc.	126 Vorrätig	1 : 14,61000 € Stange	C3M™	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	650 V	120 A (Tc)	15V	21mOhm bei 55,8A, 15V	3,6V bei 15,5mA	188 nC @ 15 V	+15V, -4V	5011 pF @ 400 V	-	416W (Tc)	-40°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4L	TO-247-4
IMZC120R017M2HXKSA1 SICFET N-CH 1200V 97A TO247 Infineon Technologies	434 Vorrätig	1 : 14,72000 € Stange	CoolSiC™ G2	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	97 A (Tc)	15V, 18V	17mOhm bei 40A, 18V	5,1V bei 12,7mA	89 nC @ 18 V	+23V, -7V	2910 pF @ 800 V	-	382W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO247-4-17	TO-247-4
IMZA120R020M1HXKSA1 SIC DISCRETE Infineon Technologies	716 Vorrätig	1 : 16,71000 € Stange	CoolSiC™	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	98 A (Tc)	15V, 18V	26,9mOhm bei 41A, 18V	5,2V bei 17,6mA	109 nC @ 18 V	+20V, -5V	3460 pF @ 800 V	-	375W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO247-4-8	TO-247-4
C3M0021120K SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L Wolfspeed, Inc.	2.575 Vorrätig	1 : 17,71000 € Stange	C3M™	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	100 A (Tc)	15V	28,8mOhm bei 50A, 15V	3,6V bei 17,7mA	162 nC @ 15 V	+15V, -4V	4818 pF @ 1000 V	-	469W (Tc)	-40°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4L	TO-247-4
IMZC120R012M2HXKSA1 SICFET N-CH 1200V 129A TO247 Infineon Technologies	485 Vorrätig	1 : 19,34000 € Stange	CoolSiC™ G2	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	129 A (Tc)	15V, 18V	12mOhm bei 57A, 18V	5,1V bei 17,8mA	124 nC @ 18 V	+23V, -7V	4050 pF @ 800 V	-	480W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO247-4-17	TO-247-4
G3R40MT12K SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4 Navitas Semiconductor, Inc.	1.288 Vorrätig	1 : 19,38000 € Stange	G3R™	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	71 A (Tc)	15V	48mOhm bei 35A, 15V	2,69V bei 10mA	106 nC @ 15 V	±15V	2929 pF @ 800 V	-	333W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4	TO-247-4
IMZA120R014M1HXKSA1 SIC DISCRETE Infineon Technologies	1.272 Vorrätig	1 : 21,99000 € Stange	CoolSiC™	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	127A (Tc)	15V, 18V	18,4mOhm bei 54,3A, 18V	5,2V bei 23,4mA	145 nC @ 18 V	+20V, -5V	4580 pF @ 25 V	-	455W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO247-4-8	TO-247-4
C3M0016120K1 MOSFET N-CH 1200V 125A TO247-4L Wolfspeed, Inc.	352 Vorrätig	1 : 22,26000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	125A (Tc)	15V	22mOhm bei 80,28A, 15V	3,8V bei 22,08mA	223 nC @ 15 V	+19V, -8V	6922 pF @ 1000 V	-	483W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4L	TO-247-4
IMZA65R007M2HXKSA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	686 Vorrätig	1 : 24,13000 € Stange	CoolSiC™	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	650 V	210 A (Tc)	15V, 20V	6,1mOhm bei 146,3A, 20V	5,6V bei 29,7mA	179 nC @ 18 V	+23V, -7V	6359 pF @ 400 V	-	625W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO247-4-U02	TO-247-4
NTH4L013N120M3S DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM onsemi	338 Vorrätig 4.050 Fabrik	1 : 27,89000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	151 A (Tc)	18V	20mOhm bei 75A, 18V	4,4V bei 37mA	254 nC @ 18 V	+22V, -10V	5813 pF @ 800 V	-	682W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4	TO-247-4
NTH4L028N170M1 SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER onsemi	722 Vorrätig 7.650 Fabrik	1 : 31,69000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1700 V	81 A (Tc)	20V	40mOhm bei 60A, 20V	4,3V bei 20mA	200 nC @ 20 V	+25V, -15V	4230 pF @ 800 V	-	535W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4L	TO-247-4
G3R45MT17K SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4 Navitas Semiconductor, Inc.	1.244 Vorrätig	1 : 33,19000 € Stange	G3R™	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1700 V	61 A (Tc)	15V	58mOhm bei 40A, 15V	2,7V bei 8mA	182 nC @ 15 V	±15V	4523 pF @ 1000 V	-	438W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4	TO-247-4

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

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