Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	169.446 Vorrätig	1 : 0,12000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,02203 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9Ohm bei 100mA, 10V	2,1V bei 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	155.412 Vorrätig	1 : 0,13000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,02369 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm bei 100mA, 10V	2,1V bei 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K15AMFV,L3F MOSFET N-CH 30V 100MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	144.106 Vorrätig	1 : 0,19000 € Gurtabschnitt (CT) 8.000 : 0,03345 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSIII	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	100mA (Ta)	2,5V, 4V	3,6Ohm bei 10mA, 4V	1,5V bei 100µA	-	±20V	13.5 pF @ 3 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	VESM	SOT-723
SSM3K35CTC,L3F MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C Toshiba Semiconductor and Storage	123.401 Vorrätig	1 : 0,21000 € Gurtabschnitt (CT) 10.000 : 0,03481 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSIII	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	250mA (Ta)	1,2V, 4,5V	1,1Ohm bei 150mA, 4,5V	1V bei 100µA	0.34 nC @ 4.5 V	±10V	36 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	CST3C	SC-101, SOT-883
SSM3K56FS,LF MOSFET N-CH 20V 800MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	4.090.975 Vorrätig	1 : 0,27000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,05564 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	800mA (Ta)	1,5V, 4,5V	235mOhm bei 800mA, 4,5V	1V bei 1mA	1 nC @ 4.5 V	±8V	55 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SSM	SC-75, SOT-416
SSM3J372R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	27.093 Vorrätig	1 : 0,30000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,06352 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	6 A (Ta)	1,8V, 10V	42mOhm bei 5A, 10V	1,2V bei 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	+12V, -6V	560 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
SSM3J56MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 800MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	124.593 Vorrätig	1 : 0,31000 € Gurtabschnitt (CT) 8.000 : 0,05625 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	800mA (Ta)	1,2V, 4,5V	390mOhm bei 800mA, 4,5V	-	-	±8V	100 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	VESM	SOT-723
SSM3J334R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	47.232 Vorrätig	1 : 0,31000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,06481 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	4 A (Ta)	4V, 10V	71mOhm bei 3A, 10V	2V bei 100µA	5.9 nC @ 10 V	±20V	280 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
SSM3J332R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	18.392 Vorrätig	1 : 0,31000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,06481 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	6 A (Ta)	1,8V, 10V	42mOhm bei 5A, 10V	1,2V bei 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	±12V	560 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
SSM3K339R,LF MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	1.934 Vorrätig	1 : 0,31000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,06481 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	2 A (Ta)	1,8V, 8V	185mOhm bei 1A, 8V	1,2V bei 1mA	1.1 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
SSM3K56ACT,L3F MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	95.019 Vorrätig	1 : 0,32000 € Gurtabschnitt (CT) 10.000 : 0,05681 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	1,4 A (Ta)	1,5V, 4,5V	235mOhm bei 800mA, 4,5V	1V bei 1mA	1 nC @ 4.5 V	±8V	55 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	CST3	SC-101, SOT-883
SSM3J328R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	100.436 Vorrätig	1 : 0,35000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07497 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6 A (Ta)	1,5V, 4,5V	29,8mOhm bei 3A, 4,5V	1V bei 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
SSM3J356R,LF MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	53.644 Vorrätig	1 : 0,35000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07497 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	2 A (Ta)	4V, 10V	300mOhm bei 1A, 10V	2V bei 1mA	8.3 nC @ 10 V	+10V, -20V	330 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
SSM3J358R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	35.359 Vorrätig	1 : 0,40000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,08362 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6 A (Ta)	1,8V, 8V	22,1mOhm bei 6A, 8V	1V bei 1mA	38.5 nC @ 8 V	±10V	1331 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
SSM3J338R,LF MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	77.135 Vorrätig	1 : 0,42000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,08969 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	6 A (Ta)	1,8V, 8V	17,6mOhm bei 6A, 8V	1V bei 1mA	19.5 nC @ 4.5 V	±10V	1400 pF @ 6 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
SSM3J117TU,LF MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	23.278 Vorrätig	1 : 0,42000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09090 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSII	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	2 A (Ta)	4V, 10V	117mOhm bei 1A, 10V	2,6V bei 1mA	-	±20V	280 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	UFM	3-SMD, flache Anschlüsse
SSM6H19NU,LF MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN Toshiba Semiconductor and Storage	2.900 Vorrätig	1 : 0,42000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09090 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	2 A (Ta)	1,8V, 8V	185mOhm bei 1A, 8V	1,2V bei 1mA	2.2 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-UDFN (2x2)	6-UDFN mit freiliegendem Pad
SSM3K357R,LF MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	17.776 Vorrätig	1 : 0,44000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09568 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	π-MOSV	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	650mA (Ta)	3V, 5V	1,8Ohm bei 150mA, 5V	2V bei 1mA	1.5 nC @ 5 V	±12V	60 pF @ 12 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
SSM3J351R,LF MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	14.876 Vorrätig	1 : 0,46000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,10160 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	3,5 A (Ta)	4V, 10V	134mOhm bei 1A, 10V	2V bei 1mA	15.1 nC @ 10 V	+10V, -20V	660 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
SSM3J133TU,LF MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	47.232 Vorrätig	1 : 0,49000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,10746 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	5,5 A (Ta)	1,5V, 4,5V	29,8mOhm bei 3A, 4,5V	1V bei 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	UFM	3-SMD, flache Anschlüsse
SSM6J501NU,LF MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	121.901 Vorrätig	1 : 0,51000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,11440 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	10 A (Ta)	1,5V, 4,5V	15,3mOhm bei 4A, 4,5V	1V bei 1mA	29.9 nC @ 4.5 V	±8V	2600 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-UDFNB (2x2)	6-WDFN mit freiliegendem Pad
SSM6J511NU,LF MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	46.855 Vorrätig	1 : 0,52000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,11555 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	14 A (Ta)	-	9,1mOhm bei 4A, 8V	1V bei 1mA	47 nC @ 4.5 V	-	3350 pF @ 6 V	-	-	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-UDFNB (2x2)	6-WDFN mit freiliegendem Pad
SSM3K341TU,LF MOSFET N-CH 60V 6A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	55.795 Vorrätig	1 : 0,58000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13032 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVIII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	6 A (Ta)	4V, 10V	36mOhm bei 4A, 10V	2,5V bei 100µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	550 pF @ 10 V	-	1,8W (Ta)	175°C	-	-	Oberflächenmontage	UFM	3-SMD, flache Anschlüsse
SSM3K341R,LF MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	184.320 Vorrätig	1 : 0,59000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13257 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVIII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	6 A (Ta)	4V, 10V	36mOhm bei 5A, 10V	2,5V bei 100µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	550 pF @ 10 V	-	1,2W (Ta)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
SSM3K2615R,LF MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	37.390 Vorrätig	1 : 0,60000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13592 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	π-MOSV	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	2 A (Ta)	3,3V, 10V	300mOhm bei 1A, 10V	2V bei 1mA	-	±20V	150 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

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