Name: TK28N65W,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK28N65WS1F-ND
Price: 8.092 EUR
Availability: OutOfStock

Benötigen Sie Hilfe?

Feedback

Über DigiKey Marktplatz Verkauf auf DigiKey.com Karriere Seitenübersicht Digitale Lösungen Newsroom

Hilfe und Unterstützung Status der Bestellung Versandtarife/Optionen Rücksendungen und Probleme bei der Bestellung Impressum

Chat (+49) 30 915 884 91 eu.support@digikey.com Co-Browse

Lokaler Support: Theresienhöhe 11A 80339 München, Germany

TK28N65W,S1F
DigiKey-Teilenr.	TK28N65WS1F-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK28N65W,S1F
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 27,6 A (Ta) 230W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK28N65W,S1F Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	27,6 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	110mOhm bei 13,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 1,6mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3000 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	230W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	TK28N65

Stückpreis ohne MwSt.:	6,80000 €
Stückpreis mit MwSt.:	8,09200 €