Name: T2N7002BK,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: T2N7002BKLMTR-ND
Price: 0.1547 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

T2N7002BK,LM
DigiKey-Teilenr.	T2N7002BKLMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) T2N7002BKLMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) T2N7002BKLMDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	T2N7002BK,LM
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 400mA (Ta) 320mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	T2N7002BK,LM Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVII-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	400mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5Ohm bei 100mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	40 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	320mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23-3
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	T2N7002

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