Name: T2N7002AK,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: T2N7002AKLMTR-ND
Price: 0.1309 EUR
Availability: InStock

Benötigen Sie Hilfe?

Feedback

Über DigiKey Marktplatz Verkauf auf DigiKey.com Karriere Seitenübersicht Digitale Lösungen Newsroom

Chat (+49) 30 915 884 91 eu.support@digikey.com Co-Browse

Lokaler Support: Theresienhöhe 11A 80339 München, Germany

T2N7002AK,LM
DigiKey-Teilenr.	T2N7002AKLMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) T2N7002AKLMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) T2N7002AKLMDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	T2N7002AK,LM
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 200mA (Ta) 320mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	T2N7002AK,LM Modelle

Stückpreis ohne MwSt.:	0,11000 €
Stückpreis mit MwSt.:	0,13090 €

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVII-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,9Ohm bei 100mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	17 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	320mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23-3
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	T2N7002