N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
TO-247-3 HiP

STWA45N65M5

DigiKey-Teilenr.
497-13596-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STWA45N65M5
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
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STWA45N65M5 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
82 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3470 pF @ 100 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
210W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
78mOhm bei 17,5A, 10V
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Dokumente und Medien
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (9)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STWA57N65M5STMicroelectronics90497-13604-5-ND8,87000 €Vom Hersteller empfohlen
APT47N60BC3GMicrochip Technology1APT47N60BC3G-ND11,48000 ۀhnlich
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FCH077N65F-F155onsemi201FCH077N65F-F155-ND9,37000 ۀhnlich
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