FGH75T65SQDT_F155
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FCH077N65F-F155

DigiKey-Teilenr.
FCH077N65F-F155-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCH077N65F-F155
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 54 A (Tc) 481W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FCH077N65F-F155 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
77mOhm bei 27A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 5,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7109 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
481W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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