APT47N60BC3G Microchip Technology | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

APT47N60BC3G
DigiKey-Teilenr.	APT47N60BC3G-ND
Hersteller	Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer	APT47N60BC3G
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 47A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 47 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 [B]
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	APT47N60BC3G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Microchip Technology
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	47 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	70mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,9V bei 2,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	260 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7015 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	417W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247 [B]
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	APT47N60

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