TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2N7000

Digi-Key-Teilenr.
497-3110-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2N7000
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 350mA (Tc) 1W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Gehäuse
Lose im Beutel
Produktstatus
Obsolet
FET-Typ
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
2 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
43 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere Namen
497-3110-NDR
497-3110
Standardverpackung2.500
Ersatzartikel (9)
Teile-Nr.Hersteller Verfügbare MengeDigi-Key-Produktnr.Stückpreis Typ des Ersatzartikels
VN10KN3-GMicrochip Technology0VN10KN3-G-ND0,64000 ۀhnlich
2N7000BUonsemi27.7582N7000BU-ND0,39000 ۀhnlich
2N7000-GMicrochip Technology1.8612N7000-G-ND0,52000 ۀhnlich
BS270Rochester Electronics, LLC02156-BS270-OS-ND0,50000 ۀhnlich
2N7000onsemi76.3252N7000FS-ND0,46000 ۀhnlich