2N7000 STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

2N7000
Digi-Key-Teilenr.	497-3110-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	2N7000
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 350mA (Tc) 1W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2N7000 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	STripFET™
Verpackung	Lose im Beutel
Produktstatus	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	350mA (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	2 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	43 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-92-3
Gehäuse / Hülle	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Basis-Produktnummer	2N70

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	2N700(0,2) Datasheet
Videodatei	Motor Control in Electric Vehicles
Datenblatt (HTML)	2N700(0,2) Datasheet
EDA-Modelle	2N7000 Modelle

Eigenschaft	Beschreibung
RoHS-Status	RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)	1 (Unbegrenzt)
REACH-Status	Von REACH nicht betroffen
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

Teile-Nr.	Hersteller	Verfügbare Menge	Digi-Key-Produktnr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
2N7000	onsemi	40.371	2N7000FS-ND	0,45000 €	Ähnlich
2N7000-G	Microchip Technology	4.305	2N7000-G-ND	0,46000 €	Ähnlich
2N7000BU	onsemi	0	2N7000BU-ND	0,33000 €	Ähnlich
BS170	onsemi	13.518	BS170-ND	0,37000 €	Ähnlich
BS270	onsemi	6.898	BS270FS-ND	0,42000 €	Ähnlich