Name: BS170
Brand: onsemi
SKU: BS170-ND
Price: 0.2975 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BS170
DigiKey-Teilenr.	BS170-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	BS170
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BS170 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	500mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5Ohm bei 200mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 1mA
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	40 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	830mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-92-3
Gehäuse / Hülle	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Basis-Produktnummer	BS170

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