N-Kanal 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
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2N7000

DigiKey-Teilenr.
2N7000FS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2N7000
Beschreibung
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
2N7000 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 1mA
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Lose im Beutel
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
50 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (2)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
VN10KN3-G-P002Microchip Technology1.922150-VN10KN3-G-P002CT-ND0,56000 ۀhnlich
VN2106N3-GMicrochip Technology464VN2106N3-G-ND0,39000 ۀhnlich
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Alle Preise in EUR
Lose im Beutel
Menge Stückpreis Gesamtpreis
10,55000 €0,55 €
100,34000 €3,40 €
1000,21760 €21,76 €
5000,16482 €82,41 €
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10.0000,10829 €1.082,90 €
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Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:0,55000 €
Stückpreis mit MwSt.:0,65450 €