Name: 2N7000
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-2N7000TB-ND
Price: 0.2142 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2N7000
DigiKey-Teilenr.	4878-2N7000CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 4878-2N7000TB-ND - Band & Box (TB)
Hersteller	Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	2N7000
Beschreibung	MOSFET TO-92 60V 0.2A
Standardlieferzeit des Herstellers	6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2N7000 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diotec Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 1mA
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	60 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	350mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-92
Gehäuse / Hülle	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen