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N-Kanal 1200 V 22 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1200 V 22 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2160KEC

DigiKey-Teilenr.
SCT2160KEC-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT2160KEC
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 22A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 22 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 2,5mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
62 nC @ 18 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+22V, -6V
Status der Komponente
Obsolet
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1200 pF @ 800 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
208mOhm bei 7A, 18V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (5)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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