Name: IXFH32N100X
Brand: IXYS
SKU: IXFH32N100X-ND
Price: 25.3708 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1000 V 32 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-247

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFH32N100X
DigiKey-Teilenr.	IXFH32N100X-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFH32N100X
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 32A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1000 V 32 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 6V bei 4mA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 130 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Ultra X	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4075 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 890W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 32 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXFH32
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 220mOhm bei 16A, 10V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 681

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	21,32000 €	21,32 €
30	13,58600 €	407,58 €
120	11,89500 €	1.427,40 €
510	11,75773 €	5.996,44 €

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.