Name: RD3P05BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3P05BATTL1TR-ND
Price: 3.3915 EUR
Availability: InStock

Benötigen Sie Hilfe?

Feedback

Über DigiKey Marktplatz Verkauf auf DigiKey.com Karriere Seitenübersicht Digitale Lösungen Newsroom

Hilfe und Unterstützung Status der Bestellung Versandtarife/Optionen Rücksendungen und Probleme bei der Bestellung Impressum

Chat (+49) 30 915 884 91 eu.support@digikey.com Co-Browse

Lokaler Support: Theresienhöhe 11A 80339 München, Germany

RD3P05BATTL1
DigiKey-Teilenr.	846-RD3P05BATTL1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RD3P05BATTL1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RD3P05BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RD3P05BATTL1
Beschreibung	PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 50 A (Tc) 101W (Tc) Oberflächenmontage TO-252
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RD3P05BATTL1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	41mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4620 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	101W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	RD3P05

Stückpreis ohne MwSt.:	2,85000 €
Stückpreis mit MwSt.:	3,39150 €