P-Kanal Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 6.168
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCharter Engineering Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Serie
-AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101BSSCMSDeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIeGaN®, FSMD-BFemtoFET™FETKY™G
Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
-30 V6 V8 V12 V14 V15 V16 V16.5 V20 V25 V28 V30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
35mA (Ta)45mA (Ta)50mA50mA (Ta)54mA (Tj)65mA (Ta)70mA (Ta)75mA (Ta)85mA (Tj)86mA (Tj)90mA (Ta)100mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V1,5V, 2,5V1,5V, 3,7V1,5V, 4,5V1,5V, 4V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,4mOhm bei 10A, 10V1,4mOhm bei 23A, 10V1,5mOhm bei 20A, 10V1,6mOhm bei 25A, 10V1,7mOhm bei 20A, 10V1,7mOhm bei 30A, 4,5V1,8mOhm bei 100A, 10V1,8mOhm bei 23A, 10V1,9mOhm bei 25A, 10V1,95mOhm bei 25A, 10V2mOhm bei 10A, 10V2,1mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
400mV bei 250µA450mV bei 100µA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250µA (Min)500mV bei 250µA (Min)600mV bei 1mA (typisch)600mV bei 250µA (Min)600mV bei 500µA (Min)650mV bei 250µA680mV bei 1mA (typisch)700mV bei 250µA700mV bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.36 nC @ 4.5 V0.36 nC @ 10 V0.4 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4 V0.5 nC @ 4.5 V500 pC @ 4.5 V0.5 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
-20V-12V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V+5V, -20V±5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3.5 pF @ 15 V5.2 pF @ 6 V6.2 pF @ 10 V7.4 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V9.1 pF @ 3 V10 pF @ 15 V11 pF @ 3 V11 pF @ 10 V12 pF @ 3 V12.2 pF @ 3 V12.8 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (isoliert)Schottky-Diode (Körper)
Verlustleistung (max.)
100mW100mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)150mW150mW (Ta)155mW (Ta)170mW (Ta)190mW (Ta)200mW200mW (Ta)225mW
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C-55°C bis 175°C (TA)-55°C bis 175°C (TJ)-50°C bis 150°C (TJ)-50°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/630
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-CPH3-DFN (1,0 x 0,60)3-LGA (0,73x0,64)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP3-SPA3-SSFP3-XDFN (0,42x0,62)3-XLLGA (0,62x0,62)4-AlphaDFN (0,97x0,97)
Gehäuse / Hülle
3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-SMD, flache Anschlüsse3-SMD, Nicht standardmäßiges3-SMD, ohne Anschlüsse3-SMD, SOT-23-3 Variante3-UDFN3-UFDFN3-XDFN3-XDFN mit freiliegendem Pad3-XFDFN3-XFLGA4-DIP (0,300", 7,62mm)
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
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Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
669.609
Vorrätig
1 : 0,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03524 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
436.703
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03792 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm bei 100mA, 5V
2V bei 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3421E
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1.115.503
Vorrätig
1 : 0,26000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05632 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
3 A (Ta)
4,5V, 10V
95mOhm bei 3A, 10V
2,5V bei 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
215 pF @ 15 V
-
1,4W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 Variante
SOT-23-3
DMP2123L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
Diodes Incorporated
347.338
Vorrätig
708.000
Fabrik
1 : 0,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08482 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3 A (Ta)
2,5V, 4,5V
72mOhm bei 3,5A, 4,5V
1,25V bei 250µA
7.3 nC @ 4.5 V
±12V
443 pF @ 16 V
-
1,4W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3407A
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
867.454
Vorrätig
1 : 0,29000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,06336 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
4,3 A (Ta)
4,5V, 10V
48mOhm bei 4,3A, 10V
3V bei 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
830 pF @ 15 V
-
1,4W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 Variante
SOT-523
DMG1013T-7
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
391.371
Vorrätig
2.814.000
Fabrik
1 : 0,29000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04760 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
460mA (Ta)
1,8V, 4,5V
700mOhm bei 350mA, 4,5V
1V bei 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
270mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-523
SOT-523
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
208.262
Vorrätig
1 : 0,29000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04863 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
130mA (Ta)
10V
10Ohm bei 130mA, 10V
2V bei 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
250mW (Tc)
-65°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
168.000
Vorrätig
1 : 0,30000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05069 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3 A (Ta)
2,5V, 4,5V
120mOhm bei 2,8A, 4,5V
1,2V bei 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1,5W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
PMF170XP,115
MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Nexperia USA Inc.
114.135
Vorrätig
1 : 0,30000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05467 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
1 A (Ta)
4,5V
200mOhm bei 1A, 4,5V
1,15V bei 250µA
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
280 pF @ 10 V
-
290mW (Ta), 1,67W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-323
SC-70, SOT-323
358.783
Vorrätig
1 : 0,31000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08496 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
12 V
6 A (Ta)
1,8V, 8V
17,6mOhm bei 6A, 8V
1V bei 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23F
SOT-23-3 flache Anschlüsse
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
326.295
Vorrätig
1 : 0,31000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05684 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
3,8 A (Ta)
4,5V, 10V
65mOhm bei 3,8A, 10V
2,1V bei 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1,08W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
248.200
Vorrätig
2.115.000
Fabrik
1 : 0,32000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05419 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
820mA (Ta)
1,8V, 4,5V
750mOhm bei 430mA, 4,5V
1V bei 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-323
SC-70, SOT-323
135.543
Vorrätig
1 : 0,32000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,09947 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
4,7 A (Tc)
1,8V, 4,5V
50mOhm bei 3A, 4,5V
800mV bei 250µA
9.6 nC @ 4.5 V
±10V
850 pF @ 10 V
-
1,56W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
129.741
Vorrätig
1 : 0,32000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08814 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
330mA (Ta)
4,5V, 10V
2Ohm bei 330mA, 10V
2V bei 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
64.130
Vorrätig
1 : 0,32000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08756 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
760mA (Ta)
4,5V, 10V
600mOhm bei 600mA, 10V
1V bei 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
540mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
ISS17EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
59.481
Vorrätig
1 : 0,32000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08772 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
1,7Ohm bei 300mA, 10V
2V bei 34µA
1.79 nC @ 10 V
±20V
55 pF @ 30 V
-
360mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
385.406
Vorrätig
1 : 0,33000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05626 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
170mA (Ta)
4,5V, 10V
8Ohm bei 170mA, 10V
2V bei 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-89-3_463C
NTE4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
onsemi
82.928
Vorrätig
1 : 0,33000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,09018 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
760mA (Tj)
1,8V, 4,5V
360mOhm bei 350mA, 4,5V
1,2V bei 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
313mW (Tj)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SC-89-3
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
172.643
Vorrätig
1 : 0,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,09281 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3,1 A (Tc)
2,5V, 4,5V
112mOhm bei 2,8A, 4,5V
1V bei 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW (Ta), 1,6W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
69.435
Vorrätig
1 : 0,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05708 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm bei 100mA, 5V
2V bei 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2215L-7
MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
Diodes Incorporated
60.188
Vorrätig
54.000
Fabrik
1 : 0,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,09193 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
2,7 A (Ta)
2,5V, 4,5V
100mOhm bei 2,7A, 4,5V
1,25V bei 250µA
5.3 nC @ 4.5 V
±12V
250 pF @ 10 V
-
1,08W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
51.729
Vorrätig
1 : 0,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,09281 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3,1 A (Tc)
2,5V, 4,5V
112mOhm bei 2,8A, 4,5V
1V bei 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW (Ta), 1,6W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
NDS0610
MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
onsemi
42.270
Vorrätig
1 : 0,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,09120 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
120mA (Ta)
4,5V, 10V
10Ohm bei 500mA, 10V
3,5V bei 1mA
2.5 nC @ 10 V
±20V
79 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
757.203
Vorrätig
1 : 0,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,07773 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
6 A (Ta)
1,5V, 4,5V
29,8mOhm bei 3A, 4,5V
1V bei 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23F
SOT-23-3 flache Anschlüsse
SOT-23-3
DMP2120U-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
427.304
Vorrätig
1 : 0,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,06315 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3,8 A (Ta)
1,8V, 4,5V
62mOhm bei 4,2A, 4,5V
1V bei 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
487 pF @ 20 V
-
800mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Angezeigt werden
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P-Kanal Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.