Name: R6007ENX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6007ENX-ND
Price: 3.2725 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6007ENX
DigiKey-Teilenr.	R6007ENX-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	R6007ENX
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	R6007ENX Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	620mOhm bei 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	390 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	40W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220FM
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	R6007

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