
IXTP4N70X2M | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 238-IXTP4N70X2M-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTP4N70X2M |
Beschreibung | MOSFET N-CH 700V 4A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 36 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 700 V 4 A (Tc) 30W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11.8 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 386 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 30W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220, isolierte Fahne |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 850mOhm bei 2A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA70R750P7SXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 1.235 | 2156-IPA70R750P7SXKSA1-ND | 0,51845 € | Ähnlich |
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 14 | IPAN65R650CEXKSA1-ND | 1,42000 € | Ähnlich |
| R6007ENX | Rohm Semiconductor | 490 | R6007ENX-ND | 2,89000 € | Ähnlich |
| STP10NK60ZFP | STMicroelectronics | 366 | 497-5892-5-ND | 3,75000 € | Ähnlich |
| STP10NK70ZFP | STMicroelectronics | 952 | 497-12602-5-ND | 4,67000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,33000 € | 4,33 € |
| 50 | 2,23720 € | 111,86 € |
| 100 | 2,03520 € | 203,52 € |
| 500 | 1,68118 € | 840,59 € |
| 1.000 | 1,56751 € | 1.567,51 € |
| 2.000 | 1,47200 € | 2.944,00 € |
| 5.000 | 1,45524 € | 7.276,20 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,33000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,15270 € |

