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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPAN65R650CEXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPAN65R650CEXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPAN65R650CEXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 15 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 10,1 A (Tc) 28W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPAN65R650CEXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 650mOhm bei 2,1A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,5V bei 210µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 440 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 28W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO220-FP | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 16
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 1,40000 € | 1,40 € |
| 50 | 0,66520 € | 33,26 € |
| 100 | 0,59350 € | 59,35 € |
| 500 | 0,46762 € | 233,81 € |
| 1.000 | 0,42710 € | 427,10 € |
| 2.000 | 0,39302 € | 786,04 € |
| 5.000 | 0,35614 € | 1.780,70 € |
| 10.000 | 0,35358 € | 3.535,80 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,40000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 1,66600 € |
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