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N-Kanal 55 V 75 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

HUF75339P3

DigiKey-Teilenr.
HUF75339P3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
HUF75339P3
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 75 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
HUF75339P3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 20 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2000 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
12mOhm bei 75A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (13)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
EKI07174Sanken Electric USA Inc.0EKI07174-ND0,36819 ۀhnlich
IRF1018EPBFInfineon Technologies4.698IRF1018EPBF-ND1,38000 ۀhnlich
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Stückpreis mit MwSt.:2,78460 €