N-Kanal 60 V 79 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRF1018EPBF

DigiKey-Teilenr.
IRF1018EPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF1018EPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 79 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF1018EPBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 100µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
69 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2290 pF @ 50 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8,4mOhm bei 47A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
11,61000 €1,61 €
101,01800 €10,18 €
1000,67760 €67,76 €
5000,53160 €265,80 €
1.0000,48459 €484,59 €
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5.0000,40227 €2.011,35 €
10.0000,37584 €3.758,40 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:1,91590 €