Name: IRF530NPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF530NPBF-ND
Price: 1.8088 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 17 A (Tc) 70W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF530NPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF530NPBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF530NPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 17 A (Tc) 70W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF530NPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 37 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 920 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 17 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRF530
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 90mOhm bei 9A, 10V

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	1,52000 €	1,52 €
10	0,96000 €	9,60 €
100	0,63670 €	63,67 €
500	0,49818 €	249,09 €
1.000	0,45362 €	453,62 €
2.000	0,41612 €	832,24 €
5.000	0,37555 €	1.877,75 €
10.000	0,35048 €	3.504,80 €

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