IXTP110N055P IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

IXTP110N055P ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP110N055P
DigiKey-Teilenr.	IXTP110N055P-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTP110N055P
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 55 V 110 A (Tc) 390W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Polar
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	110 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	13,5mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	76 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2210 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	390W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IXTP110