Name: GAN111-650WSBQ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN111-650WSBQ-ND
Price: 14.2443 EUR
Availability: InStock

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GAN111-650WSBQ
DigiKey-Teilenr.	1727-GAN111-650WSBQ-ND
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	GAN111-650WSBQ
Beschreibung	GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 21 A (Ta) 107W (Ta) Durchkontaktierung TO-247-3L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	114mOhm bei 14A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,8V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	4.9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	336 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	107W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3L
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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10	8,28500 €	82,85 €
50	6,71020 €	335,51 €
100	6,20430 €	620,43 €

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