Name: CDF56G6517N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: 1514-CDF56G6517NTR13PBFREETR-ND
Price: 5.8429 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CDF56G6517N TR13 PBFREE
DigiKey-Teilenr.	1514-CDF56G6517NTR13PBFREETR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1514-CDF56G6517NTR13PBFREECT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1514-CDF56G6517NTR13PBFREEDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Central Semiconductor Corp
Hersteller-Teilenummer	CDF56G6517N TR13 PBFREE
Beschreibung	650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 17 A (Tc) 1,1W (Ta), 113W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 8-DFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	CDF56G6517N TR13 PBFREE Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Central Semiconductor Corp
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	140mOhm bei 5A, 6V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 17,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	3.5 nC @ 6 V
Vgs (Max.)	+7V, -1,4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	125 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,1W (Ta), 113W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-DFN (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN