Nexperia USA Inc. Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
BSS84AKW,115 MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323 Nexperia USA Inc.	37.885 Vorrätig	1 : 0,16000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03130 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	150mA (Ta)	10V	7,5Ohm bei 100mA, 10V	2,1V bei 250µA	0.35 nC @ 5 V	±20V	36 pF @ 25 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
NX3008NBKW,115 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323 Nexperia USA Inc.	45.096 Vorrätig	1 : 0,18000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03537 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	350mA (Ta)	1,8V, 4,5V	1,4Ohm bei 350mA, 4,5V	1,1V bei 250µA	0.68 nC @ 4.5 V	±8V	50 pF @ 15 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002PW,115 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Nexperia USA Inc.	44.171 Vorrätig	1 : 0,20000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04060 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	310mA (Ta)	10V	1,6Ohm bei 500mA, 10V	2,4V bei 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	260mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
BSS138BKW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	36.871 Vorrätig	1 : 0,21000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04348 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	320mA (Ta)	10V	1,6Ohm bei 320mA, 10V	1,6V bei 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	56 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
PMF250XNEX MOSFET N-CH 30V 1A SOT323 Nexperia USA Inc.	1.006 Vorrätig	1 : 0,22000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04581 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	1 A (Ta)	2,5V, 4,5V	254mOhm bei 900mA, 4,5V	1,25V bei 250µA	1.65 nC @ 4.5 V	±12V	81 pF @ 15 V	-	342mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
PMF63UNEX MOSFET N-CH 20V 2.2A SOT323 Nexperia USA Inc.	122.014 Vorrätig	1 : 0,38000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,08304 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2,2 A (Ta)	1,8V, 4,5V	65mOhm bei 2A, 4,5V	1V bei 250µA	5.85 nC @ 4.5 V	±8V	289 pF @ 10 V	-	395mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
PMPB13XNE,115 MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6 Nexperia USA Inc.	77.162 Vorrätig	1 : 0,51000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,11675 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	8 A (Ta)	1,8V, 4,5V	16mOhm bei 8A, 4,5V	900mV bei 250µA	36 nC @ 4.5 V	±12V	2195 pF @ 15 V	-	1,7W (Ta), 12,5W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	DFN2020MD-6	6-UDFN mit freiliegendem Pad
PMPB11EN,115 MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6 Nexperia USA Inc.	1.765 Vorrätig	1 : 0,60000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13145 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	9 A (Ta)	4,5V, 10V	14,5mOhm bei 9A, 10V	2V bei 250µA	20.6 nC @ 10 V	±20V	840 pF @ 10 V	-	1,7W (Ta), 12,5W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	DFN2020MD-6	6-UDFN mit freiliegendem Pad
BUK9Y29-40E,115 MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	2.673 Vorrätig	1 : 0,63000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,16290 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	25 A (Tc)	5V	25mOhm bei 5A, 10V	2,1V bei 1mA	5 nC @ 5 V	±10V	664 pF @ 25 V	-	37W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN069-100YS,115 MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	4.563 Vorrätig	1 : 0,86000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,23248 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	17 A (Tc)	10V	72,4mOhm bei 5A, 10V	4V bei 1mA	14 nC @ 10 V	±20V	645 pF @ 50 V	-	56W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN4R0-30YLDX MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	24.430 Vorrätig	1 : 1,02000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,28331 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	95 A (Tc)	4,5V, 10V	4mOhm bei 25A, 10V	2,2V bei 1mA	19.4 nC @ 10 V	±20V	1272 pF @ 15 V	-	64W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN011-60MLX MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33 Nexperia USA Inc.	410 Vorrätig	1 : 1,04000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,26439 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	61 A (Tc)	4,5V, 10V	11,3mOhm bei 15A, 10V	2,45V bei 1mA	37.2 nC @ 10 V	±20V	2191 pF @ 30 V	-	91W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Anschlüsse)
PSMN2R4-30MLDX MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 Nexperia USA Inc.	10.970 Vorrätig	1 : 1,08000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,30026 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	70 A (Tc)	4,5V, 10V	2,4mOhm bei 25A, 10V	2,2V bei 1mA	51 nC @ 10 V	±20V	3264 pF @ 15 V	-	91W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Anschlüsse)
PSMN017-60YS,115 MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	1.639 Vorrätig	1 : 1,11000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,27975 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	44 A (Tc)	10V	15,7mOhm bei 15A, 10V	4V bei 1mA	20 nC @ 10 V	±20V	1172 pF @ 30 V	-	74W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
BUK6Y24-40PX MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	11.158 Vorrätig	1 : 1,19000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,33617 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	39 A (Tc)	4,5V, 10V	24mOhm bei 8,2A, 10V	3V bei 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	1250 pF @ 20 V	-	66W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
BUK6Y19-30PX MOSFET P-CH 30V 45A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	3.512 Vorrätig	1 : 1,20000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,33803 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	45 A (Tc)	4,5V, 10V	19mOhm bei 9,5A, 10V	3V bei 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	1260 pF @ 15 V	-	66W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
BUK7Y3R5-40E,115 MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	558 Vorrätig	1 : 1,28000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,36663 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	100 A (Tc)	10V	3,5mOhm bei 25A, 10V	4V bei 1mA	49.4 nC @ 10 V	±20V	3583 pF @ 25 V	-	167W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN1R2-25YLC,115 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	4.500 Vorrätig	1 : 1,31000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,37410 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	25 V	100 A (Tc)	4,5V, 10V	1,3mOhm bei 25A, 10V	1,95V bei 1mA	66 nC @ 10 V	±20V	4173 pF @ 12 V	-	179W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN5R6-60YLX MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	2.547 Vorrätig	1 : 1,32000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,37879 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	100 A (Tc)	5V, 10V	5,6mOhm bei 25A, 10V	2,1V bei 1mA	66.8 nC @ 10 V	±20V	5026 pF @ 25 V	-	167W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN020-100YS,115 MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	17.802 Vorrätig	1 : 1,41000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,40951 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	43 A (Tc)	10V	20,5mOhm bei 15A, 10V	4V bei 1mA	41 nC @ 10 V	±20V	2210 pF @ 50 V	-	106W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN1R4-30YLDX MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	2.570 Vorrätig	1 : 1,49000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,43526 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	100 A (Tc)	4,5V, 10V	1,42mOhm bei 25A, 10V	2,2V bei 1mA	54.8 nC @ 10 V	±20V	3840 pF @ 15 V	-	166W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PHB32N06LT,118 MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK Nexperia USA Inc.	530 Vorrätig	1 : 1,51000 € Gurtabschnitt (CT) 800 : 0,47966 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	34 A (Tc)	4,5V, 5V	37mOhm bei 20A, 10V	2V bei 1mA	17 nC @ 5 V	±15V	1280 pF @ 25 V	-	97W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
PSMN102-200Y,115 MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	10.844 Vorrätig	1 : 1,53000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,44934 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	200 V	21,5 A (Tc)	10V	102mOhm bei 12A, 10V	4V bei 1mA	30.7 nC @ 10 V	±20V	1568 pF @ 30 V	-	113W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN059-150Y,115 MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	10.000 Vorrätig	1 : 1,53000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,44934 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	150 V	43 A (Tc)	10V	59mOhm bei 12A, 10V	4V bei 1mA	27.9 nC @ 10 V	±20V	1529 pF @ 30 V	-	113W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN011-80YS,115 MOSFET N-CH 80V 67A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	484 Vorrätig	1 : 1,54000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,45565 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	80 V	67 A (Tc)	10V	11mOhm bei 25A, 10V	4V bei 1mA	45 nC @ 10 V	±20V	2800 pF @ 40 V	-	117W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

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