P-Kanal 60 V 250mA (Tj) 1W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
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VP2106N3-G

DigiKey-Teilenr.
VP2106N3-G-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
VP2106N3-G
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers
6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 60 V 250mA (Tj) 1W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
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VP2106N3-G Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 1mA
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Tasche
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
60 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
1W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V, 10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
12Ohm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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