N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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IXTP8N65X2M

DigiKey-Teilenr.
IXTP8N65X2M-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP8N65X2M
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
800 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
550mOhm bei 4A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (3)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCP600N60Zonsemi143FCP600N60ZOS-ND2,65000 ۀhnlich
SPP07N60C3XKSA1Infineon Technologies945SPP07N60C3XKSA1-ND2,62000 ۀhnlich
STP10NM60NDSTMicroelectronics626497-12276-ND2,34000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,09000 €4,09 €
502,10080 €105,04 €
1001,90890 €190,89 €
5001,57268 €786,34 €
1.0001,46474 €1.464,74 €
2.0001,37403 €2.748,06 €
5.0001,34614 €6.730,70 €
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Stückpreis mit MwSt.:4,86710 €