Name: IXTP8N65X2M
Brand: IXYS
SKU: IXTP8N65X2M-ND
Price: 4.165 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP8N65X2M
DigiKey-Teilenr.	IXTP8N65X2M-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTP8N65X2M
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Ultra X2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	550mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	800 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	32W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IXTP8

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1	3,50000 €	3,50 €
50	1,78280 €	89,14 €
100	1,61680 €	161,68 €
500	1,32580 €	662,90 €
1.000	1,23235 €	1.232,35 €
2.000	1,18953 €	2.379,06 €

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