STP10NM60ND STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP10NM60ND
DigiKey-Teilenr.	497-12276-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STP10NM60ND
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 8A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 8 A (Tc) 70W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STP10NM60ND Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	FDmesh™ II
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	600mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	577 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	70W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	STP10

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1	2,22000 €	2,22 €
50	1,08800 €	54,40 €
100	0,97830 €	97,83 €
500	0,78572 €	392,86 €

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