
SPP07N60C3XKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | SPP07N60C3XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SPP07N60C3XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 7,3 A (Tc) 83W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SPP07N60C3XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 350µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 27 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 790 pF @ 25 V |
Status der Komponente Nur verfügbar bis | Verlustleistung (max.) 83W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 600mOhm bei 4,6A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPA60R600P7XKSA1-ND | 1,67000 € | Vom Hersteller empfohlen |
| FCP11N60F | onsemi | 2.052 | FCP11N60FFS-ND | 3,75000 € | Ähnlich |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1.718 | IRF830APBF-ND | 2,63000 € | Ähnlich |
| IRFB11N50APBF | Vishay Siliconix | 307 | IRFB11N50APBF-ND | 3,37000 € | Ähnlich |
| IRFB9N60APBF | Vishay Siliconix | 4.633 | IRFB9N60APBF-ND | 3,26000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,62000 € | 2,62 € |
| 50 | 1,30580 € | 65,29 € |
| 100 | 1,17800 € | 117,80 € |
| 500 | 0,99616 € | 498,08 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,62000 € |
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| Stückpreis mit MwSt.: | 3,11780 € |








