Name: IRFB9N60APBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFB9N60APBF-ND
Price: 3.8556 EUR
Availability: InStock

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IRFB9N60APBF
DigiKey-Teilenr.	IRFB9N60APBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRFB9N60APBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 9,2 A (Tc) 170W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFB9N60APBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	750mOhm bei 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1400 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	170W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRFB9N60

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	3,24000 €	3,24 €
50	1,64020 €	82,01 €
100	1,48530 €	148,53 €
500	1,21372 €	606,86 €
1.000	1,12651 €	1.126,51 €
2.000	1,07207 €	2.144,14 €

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