N-Kanal 600 V 9,2 A (Tc) 170W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRFB9N60APBF

DigiKey-Teilenr.
IRFB9N60APBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB9N60APBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 9,2 A (Tc) 170W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFB9N60APBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
49 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
750mOhm bei 5,5A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,26000 €3,26 €
501,64840 €82,42 €
1001,49160 €149,16 €
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Standardverpackung des Herstellers
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