Name: ISC035N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 4.9504 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISC035N10NM5LF2ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC035N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC035N10NM5LF2ATMA1
Beschreibung	ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 19A (Ta), 164A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8 FL
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	19A (Ta), 164A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,5mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,9V bei 115µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	88 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7200 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 217W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8 FL
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN