Name: ISC015N06NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC015N06NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 3.57 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISC015N06NM5LF2ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC015N06NM5LF2ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC015N06NM5LF2ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC015N06NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC015N06NM5LF2ATMA1
Beschreibung	TRENCH 40<-<100V
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 32A (Ta), 275A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8 FL
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	32A (Ta), 275A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,55mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,45V bei 120µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9000 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 217W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8 FL
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN