8-PowerTDFN Einzelne FETs, MOSFETs

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Serie
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Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
DMTH8008LPSQ-13
DMTH6016LPSQ-13
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Diodes Incorporated
58.289
Vorrätig
507.500
Fabrik
1 : 0,85000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,19138 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
9,8 A (Ta), 37 A (Tc)
4,5V, 10V
16mOhm bei 20A, 10V
2,5V bei 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
2,6W (Ta), 37,5W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
8 PowerTDFN
BSZ060NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Infineon Technologies
38.346
Vorrätig
1 : 0,86000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,23641 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
25 V
12 A (Ta), 40 A (Tc)
4,5V, 10V
6mOhm bei 20A, 10V
2V bei 250µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 12 V
-
2,1W (Ta), 26W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-5
BSC050NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Infineon Technologies
6.490
Vorrätig
1 : 0,96000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,25612 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
25 V
39 A (Ta), 58 A (Tc)
4,5V, 10V
5mOhm bei 30A, 10V
2V bei 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 12 V
-
2,5W (Ta), 28W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
IRFHM9331TRPBF
MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
Infineon Technologies
16.662
Vorrätig
1 : 0,97000 €
Gurtabschnitt (CT)
4.000 : 0,22906 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
11 A (Ta), 24 A (Tc)
10V, 20V
10mOhm bei 11A, 20V
2,4V bei 25µA
48 nC @ 10 V
±25V
1543 pF @ 25 V
-
2,8W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PQFN (3x3)
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-5
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Infineon Technologies
24.579
Vorrätig
1 : 1,01000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,25330 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
13 A (Ta), 49 A (Tc)
4,5V, 10V
9,3mOhm bei 40A, 10V
2V bei 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 35W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
22.696
Vorrätig
1 : 1,01000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,23383 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
11 A (Ta), 40 A (Tc)
6V, 10V
12mOhm bei 20A, 10V
3,1V bei 73µA
45 nC @ 10 V
±25V
3360 pF @ 15 V
-
2,1W (Ta), 52W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8 PowerTDFN
BSZ0904NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Infineon Technologies
1.668
Vorrätig
1 : 1,01000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,30115 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
18 A (Ta), 40 A (Tc)
4,5V, 10V
4mOhm bei 30A, 10V
2V bei 250µA
11 nC @ 4.5 V
±20V
1463 pF @ 15 V
Schottky-Diode (Körper)
2,1W (Ta), 37W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8 PowerTDFN
BSZ065N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Infineon Technologies
15.115
Vorrätig
1 : 1,03000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,24767 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
12 A (Ta), 40 A (Tc)
4,5V, 10V
6,5mOhm bei 20A, 10V
2V bei 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 15 V
-
2,1W (Ta), 26W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
CSD16323Q3
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Texas Instruments
10.939
Vorrätig
1 : 1,03000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,33004 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
14 A (Ta), 44 A (Tc)
3V, 8V
10,3mOhm bei 10A, 8V
1,8V bei 250µA
5.1 nC @ 4.5 V
+10V, -8V
700 pF @ 15 V
-
2,7W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
8-PowerTDFN
8.473
Vorrätig
1 : 1,04000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,30367 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
80 A (Tc)
4,5V, 10V
3,29mOhm bei 40A, 10V
2V bei 18µA
25 nC @ 10 V
±16V
1515 pF @ 25 V
-
50W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-5
BSC059N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Infineon Technologies
38.754
Vorrätig
1 : 1,12000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,28708 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
16 A (Ta), 73 A (Tc)
4,5V, 10V
5,9mOhm bei 50A, 10V
2V bei 23µA
40 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 50W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8
BSZ097N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
6.412
Vorrätig
1 : 1,13000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,29083 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
12 A (Ta), 40 A (Tc)
4,5V, 10V
9,7mOhm bei 20A, 10V
2V bei 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2,1W (Ta), 35W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8 VSONP
CSD19534Q5A
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Texas Instruments
6.687
Vorrätig
1 : 1,46000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,37593 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
44 A (Tc)
6V, 10V
15,1mOhm bei 10A, 10V
3,4V bei 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 50 V
-
3,2W (Ta), 63W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSONP (5x6)
8-PowerTDFN
14.234
Vorrätig
1 : 1,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,29054 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
60 A (Tc)
4,5V, 10V
4,02mOhm bei 30A, 10V
2V bei 14µA
20 nC @ 10 V
±16V
1179 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-5
BSC340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Infineon Technologies
78.278
Vorrätig
1 : 1,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,27511 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
80 V
7 A (Ta), 23 A (Tc)
6V, 10V
34mOhm bei 12A, 10V
3,5V bei 12µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
756 pF @ 40 V
-
2,5W (Ta), 32W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8
BSZ086P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Infineon Technologies
7.992
Vorrätig
1 : 1,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,29136 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
13,5 A (Ta), 40 A (Tc)
6V, 10V
8,6mOhm bei 20A, 10V
3,1V bei 105µA
57.5 nC @ 10 V
±25V
4785 pF @ 15 V
-
2,1W (Ta), 69W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8 PowerTDFN
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
19.220
Vorrätig
1 : 1,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,31049 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
40 A (Tc)
6V, 10V
10mOhm bei 20A, 10V
3,3V bei 14µA
15 nC @ 10 V
±20V
1075 pF @ 30 V
-
2,1W (Ta), 36W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
9.185
Vorrätig
1 : 1,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,31710 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
80 A (Tc)
7V, 10V
3,68mOhm bei 40A, 10V
3V bei 18µA
22 nC @ 10 V
±20V
1338 pF @ 25 V
-
50W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
CSD16323Q3
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
48.566
Vorrätig
1 : 1,29000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,38472 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
60 A (Ta)
4,5V, 10V
2,3mOhm bei 25A, 10V
1,8V bei 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4420 pF @ 15 V
-
2,8W (Ta), 108W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-5
BSC042N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Infineon Technologies
32.652
Vorrätig
1 : 1,30000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,32152 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
20 A (Ta), 93 A (Tc)
4,5V, 10V
4,2mOhm bei 30A, 10V
2,2V bei 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta), 57W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8 VSONP
CSD18534Q5A
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON
Texas Instruments
6.497
Vorrätig
1 : 1,30000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,38277 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
13 A (Ta), 50 A (Tc)
4,5V, 10V
9,8mOhm bei 14A, 10V
2,3V bei 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1770 pF @ 30 V
-
3,1W (Ta), 77W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSONP (5x6)
8-PowerTDFN
8 PowerTDFN
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Infineon Technologies
13.243
Vorrätig
1 : 1,31000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,32217 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
46 A (Tc)
4,5V, 10V
9,9mOhm bei 20A, 10V
2,3V bei 14µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8 VSONP
CSD18504Q5A
MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Texas Instruments
9.280
Vorrätig
1 : 1,31000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,42768 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
15 A (Ta), 50 A (Tc)
4,5V, 10V
6,6mOhm bei 17A, 10V
2,4V bei 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
1656 pF @ 20 V
-
3,1W (Ta), 77W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSONP (5x6)
8-PowerTDFN
CSD16323Q3
CSD16406Q3
MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Texas Instruments
2.602
Vorrätig
1 : 1,32000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,43279 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
25 V
19 A (Ta), 60 A (Tc)
4,5V, 10V
5,3mOhm bei 20A, 10V
2,2V bei 250µA
8.1 nC @ 4.5 V
+16V, -12V
1100 pF @ 12.5 V
-
2,7W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
8-PowerTDFN
34.800
Vorrätig
1 : 1,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,35650 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
4,5V, 10V
5,9mOhm bei 50A, 10V
2,3V bei 250µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
830 pF @ 20 V
-
3W (Ta), 38W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
Angezeigt werden
von 1.904

8-PowerTDFN Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.